Терагерцовый прорыв: новый метод управления магнитной памятью
Суть открытия
Ученые МГУ разработали принципиально новый способ управления магнитными доменами с помощью:
• Терагерцового излучения (вместо пьезоэлектриков)
• Кристаллов сульфида кадмия (CdS)
• Импульсного воздействия для сохранения целостности материала
Как это работает
1. Терагерцовый импульс резонирует с атомными колебаниями
2. Нарушается симметрия кристаллической решетки
3. Происходит переориентация магнитных доменов
4. Разные состояния доменов кодируют 0 и 1
Преимущества технологии
• Высокая скорость (нет механического контакта)
• Энергоэффективность (короткие импульсы)
• Устойчивость к электромагнитным помехам
• Потенциальная плотность записи выше в 100+ раз
Перспективы применения
• Накопители информации нового поколения
• Квантовые компьютеры
• Нейроморфные вычисления
Следующие шаги
1. Оптимизация параметров излучения
2. Масштабирование технологии
3. Создание прототипа ячейки памяти
Это исследование открывает путь к созданию принципиально новых запоминающих устройств, сочетающих высокую скорость, надежность и энергоэффективность.